在推挽式驅(qū)動結(jié)構(gòu)中，當(dāng)互補MOSFET開啟時，正常情況下漏極電壓會升至直流電源電...在推挽式驅(qū)動結(jié)構(gòu)中，當(dāng)互補MOSFET開啟時，正常情況下漏極電壓會升至直流電源電壓的兩倍(或者本例中的30V)。然而，如圖1所示，尖峰電壓卻高達(dá)54V。在MOSFET關(guān)閉以...
為了降低開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的尖峰電壓，可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中，整流...為了降低開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的尖峰電壓，可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中，整流二極管關(guān)斷（高邊開關(guān)導(dǎo)通）時，RC緩沖電路可將二極管的接合部、寄生電感、寄生電容...
保證開關(guān)管在開、關(guān)過程中du/dt、di/dt足夠小，限制開關(guān)管上的電壓或電流峰值，...保證開關(guān)管在開、關(guān)過程中du/dt、di/dt足夠小，限制開關(guān)管上的電壓或電流峰值，從而保證開關(guān)管正確可靠地運行；并降低EMI的水平。
MOSFET的電流增益特征頻率fT，用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。MOSFET的電流增益特征頻率fT，用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。
首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時分別設(shè)置好NMOS溝道長度和寬度，還...首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時分別設(shè)置好NMOS溝道長度和寬度，還有將對應(yīng)器件電壓也設(shè)置成變量，設(shè)成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低柵電荷 高電流能力 ...RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 低柵電荷 高電流能力 符合RoHS和無鹵素標(biāo)準(zhǔn)
