用萬用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請留意，這...用萬用表判別KIA器件VMOS的引腳和好壞判別VMOS的引腳需求以下幾步，請留意，這是在你能肯定VMOS完好的狀況下停止的判別，假如不曉得它的好壞，請先參考本節內容的...
KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產品的需求，更為重要的是進步性價比...KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產品的需求，更為重要的是進步性價比：封裝本錢、物流（重量輕了、體積小了）、熱阻、EMI（引線電感減小了）均有降落的趨...
客戶的目光通常和你的目光是完整不一樣，沒經歷根底的話只能讓客戶幫我們選款，...客戶的目光通常和你的目光是完整不一樣，沒經歷根底的話只能讓客戶幫我們選款，不能本人武斷決議。一款好的產品或好的樣式假如不能得到市場的認可
槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構造與雙擴散有機分離起來，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴散...
常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管...常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管、雙柵場效應管、功率場效應管等。
對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導...對于VMOS而言，柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的，稍有不慎，就會導致VMOS擊穿損壞。這時候的擊穿一般是柵極與源極擊穿，而不管源極、漏極間的電壓是高...
