KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@V...KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@Vgs=10V，開啟延遲典型值為16nS，關斷延遲時間典型值為44nS，上升時間18.3nS，下降時...
MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(t...MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先進的溝槽技術，提供優異的RDS（ON），低柵極電荷，高效...
MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內阻：5Ω，采用超高...MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內阻：5Ω，采用超高密度電池設計、超低導通電阻，低開關損耗：開關速度快，開關損耗小，高效穩定。
MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(ty...MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術生產的N溝道增強型功率MOS場效應晶體管。...
高壓MOS管KIA5N50H最高承受電壓可達500V，漏極電流最大值為5A；低內阻：1.25Ω...高壓MOS管KIA5N50H最高承受電壓可達500V，漏極電流最大值為5A；低內阻：1.25Ω，能夠承受高電流，使得電器的效率更高，低開關損耗：開關速度快，開關損耗小，節能...
大功率高壓MOS管KNK7880A：漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流最大值為27A；RDS (...大功率高壓MOS管KNK7880A：漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，開關速度快等優點，適用于...
