KNH2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNH2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，性能優(yōu)越，高效穩(wěn)...
反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻...反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻。如果考慮一個(gè)通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內(nèi)阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互...
電路中VT1與VT2組成互補(bǔ)多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初...電路中VT1與VT2組成互補(bǔ)多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初級就是互補(bǔ)多諧振蕩器的負(fù)載，次級為升壓繞組，輸出一個(gè)較高的脈沖電壓。
電機(jī)控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) ...電機(jī)控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪...
通過控制兩個(gè)全控型開關(guān)器件的通斷，實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。當(dāng)其中一個(gè)開關(guān)閉合...通過控制兩個(gè)全控型開關(guān)器件的通斷，實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。當(dāng)其中一個(gè)開關(guān)閉合時(shí)，直流電源的正極連接到交流負(fù)載上，同時(shí)負(fù)載上出現(xiàn)正向電壓；當(dāng)該開關(guān)斷開時(shí)，負(fù)...
半橋電路由兩個(gè)串聯(lián)的功率開關(guān)和兩個(gè)串聯(lián)的電容組成。當(dāng)V1導(dǎo)通時(shí)，V2關(guān)斷，電容...半橋電路由兩個(gè)串聯(lián)的功率開關(guān)和兩個(gè)串聯(lián)的電容組成。當(dāng)V1導(dǎo)通時(shí)，V2關(guān)斷，電容C1上的能量釋放到負(fù)載R上，輸出電壓Uo為正，同時(shí)電容C2充電。當(dāng)V1關(guān)斷后，V2導(dǎo)通，...
