KNH7650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流25A，采用高級平面工藝制造，加固多晶...KNH7650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流25A，采用高級平面工藝制造，加固多晶硅柵極結構，能夠提升設備性能，提高系統效率；低導通電阻RDS(開啟) 170mΩ，低柵極...
先找并聯、再找串聯，相互并聯的兩個電阻可以去掉其中一個作為一個”外掛“并在...先找并聯、再找串聯，相互并聯的兩個電阻可以去掉其中一個作為一個”外掛“并在另一個旁邊，相互串聯的兩個電阻直接看成一個電阻，如下圖；
熱阻的計算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文...熱阻的計算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文每瓦特 K/W）。 ΔT 是溫度差，表示物體兩端的溫差，單位是℃。 P 是功率，表示施...
KNH2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNH2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流以減少導電損耗、高雪崩電流，性能優越，高效穩...
反相降壓升壓轉換器使用p溝道MOSFET作為開關，但p溝道MOSFET的一大缺點是其內阻...反相降壓升壓轉換器使用p溝道MOSFET作為開關，但p溝道MOSFET的一大缺點是其內阻。如果考慮一個通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互...
電路中VT1與VT2組成互補多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初...電路中VT1與VT2組成互補多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初級就是互補多諧振蕩器的負載，次級為升壓繞組，輸出一個較高的脈沖電壓。
