鋰電池保護(hù)板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用...鋰電池保護(hù)板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率...
QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離...QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離出來(lái)。 芯片貼裝：將切割下來(lái)的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。 引腳連接：通...
SBD具有較低的正向?qū)妷?，一般?.3V左右；而PN結(jié)硅二極管正向?qū)妷簽?....SBD具有較低的正向?qū)妷?，一般?.3V左右；而PN結(jié)硅二極管正向?qū)妷簽?.7V左右。肖特基二極管的正向?qū)妷和ǔ５陀赑N結(jié)二極管，這意味著在正向?qū)〞r(shí)，肖...
KIA2806AM場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 3.5...KIA2806AM場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 3.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率；100%雪崩測(cè)試，穩(wěn)定可靠；提供無(wú)鉛和綠色設(shè)...
在PFC開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源是非常重要的一個(gè)組成部分。PFC當(dāng)中的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓...在PFC開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源是非常重要的一個(gè)組成部分。PFC當(dāng)中的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源功能和普通的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的區(qū)別并不巨大，只是在供電上有所區(qū)別。普通的開(kāi)關(guān)穩(wěn)...
勢(shì)壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的...勢(shì)壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會(huì)有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)（該空...
