RS單體吸收電路 ( 1 )抑制關斷浪涌電壓效果好。 ( 2 )最適用于斬波器。 ( 3...RS單體吸收電路 ( 1 )抑制關斷浪涌電壓效果好。 ( 2 )最適用于斬波器。 ( 3 ) IGBT容量較大時, R1 , R2阻值選取小,開通時增加了IGBT集電極的容性開通電流,損耗...
分布電壓就是由兩個存在壓差而又相互絕緣的導體所產生的。其實在任何電路中，任...分布電壓就是由兩個存在壓差而又相互絕緣的導體所產生的。其實在任何電路中，任何兩個存在壓差的絕緣導體之間都會形成分布電容，只是大小不同的問題。一般在高頻電...
開關電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開關元件或二極管并...開關電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開關元件或二極管并聯，而寄生電感L通常與其串聯。由于這些寄生電容與電感的作用，開關元件在通斷工作...
從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸...從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸收電路，這里有一個規律，就是在開關管開/關的時候，跟電感形成一個回路。
首先來看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5 這里兩個主要參數的意義： 1、Lk是變壓器漏感（實際還...
SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發的多磊晶技術，藉...SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發的多磊晶技術，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區域，使該區域擴散形成一個氮摻雜（...
