負載開關mos開關,40v130a場效應管,KNB2904A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-04-23
KNB2904A場效應管參數(shù)性能優(yōu)越,具有優(yōu)異的RDSON和柵極電荷;漏源擊穿電壓40V,漏極電流130A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,減小損耗、提高效率;低跨導、快速切換,高效低耗;100%雪崩測試以及改進的dv/dt能力,穩(wěn)定可靠,適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域,封裝形式:TO-263,散熱良好。
漏源電壓:40V
漏極電流:130A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:400A
雪崩能量單脈沖:250MJ
總功耗:328W
閾值電壓:1.5V
總柵極電荷:135nC
輸入電容:6260PF
輸出電容:570PF
反向傳輸電容:580PF
開通延遲時間:18nS
關斷延遲時間:50nS
上升時間:20ns
下降時間:16ns
聯(lián)系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網(wǎng)站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯(lián)系刪除。