QFN和DFN封裝工藝介紹-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-03-25
DFN封裝和QFN封裝都是無引腳表面貼裝封裝結(jié)構(gòu),具有現(xiàn)代底部排放和頂部嵌入式封裝的特點(diǎn),它們都具有體積小、易于集成、一致性好、小型化、輕量化和薄型化等優(yōu)點(diǎn),它們的底部通常具有較好的導(dǎo)熱性能,能夠有效地散發(fā)熱量,提高芯片的可靠性和穩(wěn)定性能,兩者均有良好的電氣性能,均勻的信號傳輸路徑,低功耗。
DFN封裝和QFN封裝的區(qū)別有哪些?
封裝焊盤分布位置不同
DFN封裝的焊盤分布在芯片四周,而QFN封裝的焊盤集中在芯片底部。
焊接結(jié)構(gòu)與底部材料的不同
QFN封裝通常無鉛焊接結(jié)構(gòu),產(chǎn)品具有更低電感、低容抗等特點(diǎn)。QFN封裝的底部為一般為銅質(zhì)材料,具有更好的導(dǎo)熱性能和電性能,能夠有效地散發(fā)熱量。
封裝的邊長范圍不同
DFN封裝的形狀更加纖薄,常用的寬度通常不到1mm,而QFN封裝的邊長范圍一般在2-7mm之間。
部分應(yīng)用場景不同
DFN封裝在高頻、高速、高精度等需求市場得到廣泛運(yùn)用。在5G通信中的天線體,通常使用DFN封裝器件,醫(yī)療、工業(yè)、汽車等應(yīng)用的傳感器、照明驅(qū)動芯片、打印機(jī)傳感器等很多用DFN封裝。
QFN封裝的特性更適用于功率放大器、電池充電管理芯片、自動控制設(shè)備類芯片以及娛樂電子產(chǎn)品等,其緊湊的尺寸和高集成度的特性非常實(shí)用。
此外,DFN封裝和QFN封裝的形狀有些許差別,DFN封裝通常管腳分布在封裝體兩邊且整體外觀為矩形,而QFN封裝的管腳分布在封裝體四邊且整體外觀為方形。
QFN和DFN封裝工藝步驟:
芯片切割:使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離出來。
芯片貼裝:將切割下來的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。
引腳連接:通過引腳焊盤將芯片的電路與基板的電路進(jìn)行連接。
模封加工:將雙框架芯片封裝模封在樹脂等材料中,實(shí)現(xiàn)防水、防塵等保護(hù)。
切邊加工:將雙框架芯片封裝的邊緣進(jìn)行切割加工,保證封裝的尺寸和形狀符合要求。
QFN和DFN封裝工藝制程流程:
1.基板制備:選擇合適的基板材料,進(jìn)行表面處理,如防焊處理等。
2.芯片前處理:對芯片進(jìn)行前處理,包括切割、磨邊、去膠等。
3.焊盤制備:在基板上制備焊盤,常用的方法有電鍍、印刷、噴涂等。
4.芯片定位:將芯片精確定位在基板上,通常采用自動化設(shè)備進(jìn)行精確定位。
5.芯片焊接:將芯片與焊盤進(jìn)行焊接,常用的方法有熱壓焊、回流焊等。
6.后處理:對焊接后的封裝進(jìn)行清洗、檢測、包裝等后續(xù)處理。
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