bms專用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-24
KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、開關速度快；確保應用系統的高效性、可靠性和安全性；2803mos管適用于逆變器、BMS、電源管理領域中，性能優越；封裝形式：TO-263，散熱良好。
漏源電壓：30V
漏極電流：150A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：560A
雪崩能量單脈沖：552MJ
總功耗：125W
閾值電壓：1.5V
輸入電容：4555PF
輸出電容：476PF
反向傳輸電容：451PF
總柵極電荷：92nC
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：90nS
上升時間：23ns
下降時間：38ns
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