mos管靜電擊穿原因,mos管防靜電措施-KIA MOS管

MOS管對靜電敏感原因

靜電放電（ESD）是指電荷在物體間快速轉移而引發(fā)的電流流動。在電子元件和電路中，靜電放電可能由于摩擦、接觸等原因導致物體帶電。

MOS管對靜電敏感的原因：

絕緣層薄，承受高電壓的能力差。

高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。

靜電放電會在短時間內施加過高的電壓，導致絕緣層擊穿。

絕緣層脆弱：MOS管的絕緣層通常很薄（幾個納米到幾百納米），對電壓的承受能力較低，容易在靜電放電時被擊穿。

高輸入阻抗：MOS管的輸入阻抗非常高（通常在MΩ級別），對小電壓變化非常敏感，即使是微小的靜電電壓也可能導致柵極下方的電場發(fā)生變化，進而影響通道的導電性。

對MOS管的影響

瞬態(tài)高壓：靜電放電時，瞬間產生的電壓可以高達幾千伏。這種瞬態(tài)高壓會導致MOS管的柵極絕緣層瞬間承受過高的電場強度。

擊穿效應：當靜電電壓超過絕緣層的擊穿電壓（通常為幾十到幾百伏），絕緣層會發(fā)生擊穿，形成導電路徑。這會導致柵極短路、漏極和源極之間短路，最終損壞器件。

mos管靜電擊穿原因

由于MOS管輸入電阻高、柵源極間電容小，少量電荷就能在極間電容上形成高電壓（U=Q/C），進而損壞管子。在存儲和運輸時，最好使用金屬容器或導電材料進行包裝，避免放置在易產生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。

在組裝、調試過程中，工具、儀表、工作臺等都要良好接地。操作人員應避免穿著尼龍、化纖衣服，手或工具接觸集成塊前先接地。對器件引線進行矯直彎曲或人工焊接時，所用設備也必須接地良好。

另一方面，MOS電路輸入端的保護二極管導通時電流容限一般為1mA。當可能出現超過10mA的過大瞬態(tài)輸入電流時，應串接輸入保護電阻。在應用中，可選擇內部有保護電阻的MOS管。

另外，由于保護電路吸收瞬間能量有限，過大的瞬間信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。因此，焊接時電烙鐵要可靠接地，防止漏電擊穿器件輸入端。一般操作時，可斷電后利用電烙鐵余熱焊接，并先焊接地管腳。

MOS管作為電壓驅動元件，對電壓極為敏感。懸空的柵極（G）很容易受到外部干擾而使MOS導通，外部干擾信號會對G-S結電容充電，且這個微小電荷能長時間儲存。在實驗中，G極懸空存在很大風險，容易導致爆管。

在G極與地之間接入一個10-20K的下拉電阻，即柵極電阻。它有兩個重要作用：一是為場效應管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用，保護柵極G-源極S。由于場效應管G-S極間電阻很大，少量靜電就能在等效電容兩端產生高電壓。若不及時瀉放靜電，高壓可能使場效應管誤動作甚至擊穿G-S極。而柵極與源極間的電阻能將靜電瀉放掉，從而保護場效應管。

MOS管防靜電措施

導電材料包裝：在存儲和運輸中使用金屬容器或導電材料包裝MOS管，避免放在易產生靜電的環(huán)境中。

接地：將MOS管的柵極接地，避免其懸空，以防止靜電積累。

并聯電阻：在Vgs之間并聯一個電阻，起到放電電阻的作用，釋放電荷。

放置穩(wěn)壓二極管：在Vgs之間放置穩(wěn)壓二極管，以防止外部靜電或高壓損壞。

使用ESD保護電路：包括接地、屏蔽和連接等措施。接地通過將人體或設備與大地直接相連來消除靜電積累；屏蔽是通過在電路板上設置金屬網等金屬物體來防止外界干擾信號進入電路板內部產生感應電壓；連接則是利用導通電阻小的導線將兩個導電體連接起來，使電流能夠順利通過而不會產生電火花或電弧。

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