30v 85a,低壓mos管,85a30v,KNY3403B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-08
KNY3403B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用改進的工藝和單元結構特別定制，低導通電阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的開關性能；低柵極電荷、低Crss、快速切換、改進的dv/dt能力等特性，確保性能穩定可靠；廣泛應用于PD電源、UPS、逆變器系統的電源管理；封裝形式：DFN5*6，尺寸小，散熱良好。
漏源電壓：30V
漏極電流：85A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：340A
單脈沖雪崩能量：1565MJ
功率耗散：71W
閾值電壓：1.3V
總柵極電荷：47nC
輸入電容：2200PF
輸出電容：270PF
反向傳輸電容：2205PF
開通延遲時間：11nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：87ns
下降時間：82ns
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