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10n60場效應(yīng)管參數(shù)管腳 10N60場效應(yīng)管代換-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-07-28 

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10n60場效應(yīng)管參數(shù)管腳 10N60場效應(yīng)管代換-KIA MOS管


600V 10n60場效應(yīng)管-特點

KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋到拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。在社會的飛速發(fā)展中,便攜式儲能電源的需求自然激增,因此廠家一定要重視產(chǎn)品對MOS管的使用。10n60針對儲能電源應(yīng)用,具有更耐沖擊、同等參數(shù)雪崩更高的特性,提高效率的同時給產(chǎn)品應(yīng)用也提供更穩(wěn)定的保障。


1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

2、低柵電荷(典型的44nc)

3、快速切換能力

4、雪崩能量指定值

5、增強的dv/dt能力


600V 10n60場效應(yīng)管-主要參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA10N60H

工作方式:9.5A/600V

漏源極電壓:600V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):9.5A/5.7A

峰值二極管恢復(fù):4.5V/ns

結(jié)溫:+150℃

貯存溫度:-55℃至150℃


600V 10n60場效應(yīng)管-標準封裝


600V 10n60場效應(yīng)管


600V 10n60場效應(yīng)管-電路圖


600V 10n60場效應(yīng)管


600V 10n60場效應(yīng)管

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

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