150N03場效應管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進溝槽...150N03場效應管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進溝槽加工技術，極低的導通電阻RDS(on)為2.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗...
dfn封裝和qfn封裝是一種無引腳表面貼裝封裝結構，它們都是現代底部排放封裝形式...dfn封裝和qfn封裝是一種無引腳表面貼裝封裝結構，它們都是現代底部排放封裝形式，頂部嵌入式封裝；dfn封裝是單元體（footprint）的尺寸略大，在焊點面積、耐受能力...
引腳分布1腳為柵極，3腳為源極，2、4腳為漏極。有些封裝2腳伸出可焊接，有些封...引腳分布1腳為柵極，3腳為源極，2、4腳為漏極。有些封裝2腳伸出可焊接，有些封裝2腳懸空。
KNY3103A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導通電阻RDS(on)僅為1...KNY3103A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導通電阻RDS(on)僅為1.9mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；快速切換、100%雪崩測試、允許...
當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下...當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升...
