最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)] 臨界電感Lpo：如果為...最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)] 臨界電感Lpo：如果為PWM式：Lpo=η*θonmax2*Vp2/(2*f*Po)，如果為自激式：Lpo=Lp。
KCY3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)...KCY3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=8.5mΩ，改進(jìn)的工藝和電池結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，最大限度地降低導(dǎo)...
如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，...如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET...
施加正向電壓：當(dāng)晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時(shí)，晶閘管并不會(huì)立即導(dǎo)通...施加正向電壓：當(dāng)晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時(shí)，晶閘管并不會(huì)立即導(dǎo)通。 觸發(fā)信號(hào)注入：此時(shí)，需要在門極和陰極之間注入一個(gè)正向觸發(fā)脈沖信號(hào)。 晶閘管...
KNF6140S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導(dǎo)電損失；具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩...
