KCY3008A場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)...KCY3008A場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率；優(yōu)秀的柵極電荷xRDS（...
全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經(jīng)過(guò)Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開(kāi)關(guān)變換...全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經(jīng)過(guò)Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開(kāi)關(guān)變換器，在高頻變壓器初級(jí)得到高頻交流方波電壓，經(jīng)變壓器降壓，再全波整流變換成直流方...
基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開(kāi)關(guān)器件（SW）、平滑...基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開(kāi)關(guān)器件（SW）、平滑電容（C）和負(fù)載電阻（Load），Vout 是輸出電壓。開(kāi)關(guān)通常是功率電子器件，例如由 P...
鋰電池保護(hù)板（13-16串)專(zhuān)用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用...鋰電池保護(hù)板（13-16串)專(zhuān)用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率...
QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離...QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離出來(lái)。 芯片貼裝：將切割下來(lái)的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。 引腳連接：通...
