KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流70A,低導通電阻RDS(on)=7.5mΩ,最...KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流70A,低導通電阻RDS(on)=7.5mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損耗;在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖、100%雪崩測...
A類放大電路的工作原理是將輸入信號加到晶體管的基極或柵極上,通過晶體管的非...A類放大電路的工作原理是將輸入信號加到晶體管的基極或柵極上,通過晶體管的非線性特性將信號放大。在放大過程中,晶體管的集電極電流隨輸入信號的變化而變化,從...
當導體兩端電壓一定時,流過導體電流與導體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關...當導體兩端電壓一定時,流過導體電流與導體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關系公式為:I=U/R,其中I為電流,U為電壓,R為電阻。由上述公式可知,當電壓一定時,...
3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,導通電阻RDS(...3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,導通電阻RDS(on)=5.5Ω,低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗,減少開關損耗;具有高開關頻率、低...
下圖為反相器的結構示意圖,由一個PMOS和一個NMOS拼接而成; 當v=1時,T1截止...下圖為反相器的結構示意圖,由一個PMOS和一個NMOS拼接而成; 當v=1時,T1截止,T2導通,vo=0; 當v=0時,T1導通,T2截止,vo=1;