寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關(guān)閉波形（圖1）中看，柵源...寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關(guān)閉波形（圖1）中看，柵源電壓（VGS）從18V至0V。關(guān)閉時(shí)的漏極電流（ID）為50A，VDS為800V。SiC MOSFET的高開(kāi)...
-4.1A-30V PMOS管 KIA3407產(chǎn)品介紹 KIA3407采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RD...-4.1A-30V PMOS管 KIA3407產(chǎn)品介紹 KIA3407采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS（開(kāi)）、低柵極。這款產(chǎn)品作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在脈寬調(diào)制應(yīng)用中使用。KIA3407是一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)...
測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載，該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使...測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載，該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)功率MOSFET就可以構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載，如圖1所示...
例如，一個(gè)反激式電源可分別從一個(gè)48V輸入產(chǎn)生兩個(gè)1 A的12V輸出，如圖1的簡(jiǎn)化仿...例如，一個(gè)反激式電源可分別從一個(gè)48V輸入產(chǎn)生兩個(gè)1 A的12V輸出，如圖1的簡(jiǎn)化仿真模型所示。理想的二極管模型具有零正向壓降，電阻可忽略不計(jì)。變壓器繞組電阻可忽...
運(yùn)放主要直流指標(biāo)有輸入失調(diào)電壓、輸入失調(diào)電壓的溫度漂移（簡(jiǎn)稱(chēng)輸入失調(diào)電壓溫...運(yùn)放主要直流指標(biāo)有輸入失調(diào)電壓、輸入失調(diào)電壓的溫度漂移（簡(jiǎn)稱(chēng)輸入失調(diào)電壓溫漂）、輸入偏置電流、輸入失調(diào)電流、輸入偏置電流的溫度漂移（簡(jiǎn)稱(chēng)輸入失調(diào)電流溫漂...
